An analytical model for the electron velocity overshoot effects in strained-Si on Si/sub x/Ge/sub 1-x/ MOSFETs

  1. Roldan, J.B.
  2. Gamiz, F.
  3. Lopez-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 45

Nummer: 4

Seiten: 993-995

Art: Artikel

DOI: 10.1109/16.662819 GOOGLE SCHOLAR
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