A model for the drain current of deep submicrometer MOSFET's including electron-velocity overshoot

  1. Roldân, J.B.
  2. Gâmiz, F.
  3. Lopez-Villanueva, J.A.
  4. Cartujo, P.
  5. Carceller, J.E.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 1998

Volum: 45

Número: 10

Pàgines: 2249-2251

Tipus: Article

DOI: 10.1109/16.725262 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

Font de les dades: Scopus