Random telegraph signal amplitude in submicron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors
ISSN: 0003-6951
Any de publicació: 1997
Volum: 70
Número: 16
Pàgines: 2153-2155
Tipus: Article
ISSN: 0003-6951
Any de publicació: 1997
Volum: 70
Número: 16
Pàgines: 2153-2155
Tipus: Article