Random telegraph signal amplitude in submicron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors
ISSN: 0003-6951
Ano de publicación: 1997
Volume: 70
Número: 16
Páxinas: 2153-2155
Tipo: Artigo
ISSN: 0003-6951
Ano de publicación: 1997
Volume: 70
Número: 16
Páxinas: 2153-2155
Tipo: Artigo