Random telegraph signal amplitude in submicron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors

  1. Godoy, A.
  2. Gámiz, F.
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  5. Carceller, J.E.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 70

Nummer: 16

Seiten: 2153-2155

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.118943 GOOGLE SCHOLAR

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