Random telegraph signal amplitude in submicron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors

  1. Godoy, A.
  2. Gámiz, F.
  3. Palma, A.
  4. Jiménez-Tejada, J.A.
  5. Carceller, J.E.
Aldizkaria:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Argitalpen urtea: 1997

Alea: 70

Zenbakia: 16

Orrialdeak: 2153-2155

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.118943 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus