Random telegraph signal amplitude in submicron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors
ISSN: 0003-6951
Año de publicación: 1997
Volumen: 70
Número: 16
Páginas: 2153-2155
Tipo: Artículo
ISSN: 0003-6951
Año de publicación: 1997
Volumen: 70
Número: 16
Páginas: 2153-2155
Tipo: Artículo