A Monte Carlo study on the electron-transport properties of high-performance strained-Si on relaxed Si1-xGex channel MOSFETs

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1996

Volumen: 80

Número: 9

Páginas: 5121-5128

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.363493 GOOGLE SCHOLAR
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