Electron velocity overshoot in strained Si/Si1-xGexMOSFETs
ISSN: 1930-8876
ISBN: 9782863321966
Año de publicación: 1996
Páginas: 413-414
Tipo: Aportación congreso
ISSN: 1930-8876
ISBN: 9782863321966
Año de publicación: 1996
Páginas: 413-414
Tipo: Aportación congreso