Simulation of the electrostatic and transport properties of 3D-stacked GAA silicon nanowire FETs

  1. Ruiz, F.G.
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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2011

Volumen: 59

Número: 1

Páginas: 62-67

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/J.SSE.2011.01.005 GOOGLE SCHOLAR