A model of the gate capacitance of surrounding gate transistors: Comparison with double-gate MOSFETs
ISSN: 0018-9383
Any de publicació: 2010
Volum: 57
Número: 10
Pàgines: 2477-2483
Tipus: Article
ISSN: 0018-9383
Any de publicació: 2010
Volum: 57
Número: 10
Pàgines: 2477-2483
Tipus: Article