A model of the gate capacitance of surrounding gate transistors: Comparison with double-gate MOSFETs

  1. Ruiz, F.J.G.
  2. Tienda-Luna, I.M.
  3. Godoy, A.
  4. Donetti, L.
  5. Gámiz, F.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2010

Alea: 57

Zenbakia: 10

Orrialdeak: 2477-2483

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2010.2058630 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus