A model of the gate capacitance of surrounding gate transistors: Comparison with double-gate MOSFETs
ISSN: 0018-9383
Año de publicación: 2010
Volumen: 57
Número: 10
Páginas: 2477-2483
Tipo: Artículo
ISSN: 0018-9383
Año de publicación: 2010
Volumen: 57
Número: 10
Páginas: 2477-2483
Tipo: Artículo