A model of the gate capacitance of surrounding gate transistors: Comparison with double-gate MOSFETs
ISSN: 0018-9383
Datum der Publikation: 2010
Ausgabe: 57
Nummer: 10
Seiten: 2477-2483
Art: Artikel
ISSN: 0018-9383
Datum der Publikation: 2010
Ausgabe: 57
Nummer: 10
Seiten: 2477-2483
Art: Artikel