On the enhanced electron mobility in strained-silicon inversion layers
- Fischetti, M.V.
- Gámiz, F.
- Hänsch, W.
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2002
Volumen: 92
Número: 12
Páginas: 7320-7324
Tipo: Artículo
Revista:
Journal of Applied Physics