Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2001
Volumen: 90
Número: 7
Páginas: 3396-3404
Tipo: Artículo
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2001
Volumen: 90
Número: 7
Páginas: 3396-3404
Tipo: Artículo