Monte Carlo simulation of double-gate silicon-on-insulator inversion layers: The role of volume inversion

  1. Gamiz, F.
  2. Fischetti, M.V.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2001

Volumen: 89

Número: 10

Páginas: 5478-5487

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1358321 GOOGLE SCHOLAR
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