Deep submicrometer SOI MOSFET drain current model including series resistance, self-heating and velocity overshoot effects

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Cartujo-Cassinello, P.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 21

Nummer: 5

Seiten: 239-241

Art: Artikel

DOI: 10.1109/55.841308 GOOGLE SCHOLAR
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