Two-dimensional drift-diffusion simulation of superficial strained-Si/Si1-xGex channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
ISSN: 1071-1023
Any de publicació: 1998
Volum: 16
Número: 3
Pàgines: 1538-1540
Tipus: Article
ISSN: 1071-1023
Any de publicació: 1998
Volum: 16
Número: 3
Pàgines: 1538-1540
Tipus: Article