Two-dimensional drift-diffusion simulation of superficial strained-Si/Si1-xGex channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
ISSN: 1071-1023
Datum der Publikation: 1998
Ausgabe: 16
Nummer: 3
Seiten: 1538-1540
Art: Artikel
ISSN: 1071-1023
Datum der Publikation: 1998
Ausgabe: 16
Nummer: 3
Seiten: 1538-1540
Art: Artikel