Two-dimensional drift-diffusion simulation of superficial strained-Si/Si1-xGex channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
ISSN: 1071-1023
Ano de publicación: 1998
Volume: 16
Número: 3
Páxinas: 1538-1540
Tipo: Artigo
ISSN: 1071-1023
Ano de publicación: 1998
Volume: 16
Número: 3
Páxinas: 1538-1540
Tipo: Artigo