Coulomb scattering in strained-silicon inversion layers on Si1-xGex substrates

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Cartujo, P.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 1996

Ausgabe: 69

Nummer: 6

Seiten: 797-799

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.117895 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus