Coulomb scattering in strained-silicon inversion layers on Si1-xGex substrates
ISSN: 0003-6951
Argitalpen urtea: 1996
Alea: 69
Zenbakia: 6
Orrialdeak: 797-799
Mota: Artikulua
ISSN: 0003-6951
Argitalpen urtea: 1996
Alea: 69
Zenbakia: 6
Orrialdeak: 797-799
Mota: Artikulua