Coulomb scattering in strained-silicon inversion layers on Si1-xGex substrates
ISSN: 0003-6951
Ano de publicación: 1996
Volume: 69
Número: 6
Páxinas: 797-799
Tipo: Artigo
ISSN: 0003-6951
Ano de publicación: 1996
Volume: 69
Número: 6
Páxinas: 797-799
Tipo: Artigo