Tribunales de tesis (17)

  1. Presidente del tribunal

    Nanoscale characterization and simulation of advanced CMOS and emerging devices variability 2022

    Universitat Autònoma de Barcelona

    RUIZ FLORES, ANA

  2. Presidente del tribunal

    High-frequency response and thermal effects in gan diodes and transistors: modeling and experimental characterization 2020

    Universidad de Salamanca

    Sánchez Martín, Héctor

  3. Presidente del tribunal

    A nanoscale study of MOSFETs reliability and Resistive Switching in RRAM devices 2017

    Universitat Autònoma de Barcelona

    Wu, Qian

  4. Presidente del tribunal

    Development of tools for the simulation of nanometric transistors using advanced computational architectures 2016

    Universidade de Santiago de Compostela

    Indalecio Fernández, Guillermo

  5. Presidente del tribunal

    Modeling and simulation of semiconductor nanowires for future technology nodes 2014

    Universidad de Granada

    González Marín, Enrique

  6. Vocal del tribunal

    ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS. 2014

    Universitat Rovira i Virgili

    Holtij, Thomas

  7. Presidente del tribunal

    Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures 2013

    Universitat Autònoma de Barcelona

    Bayerl, Albin

  8. Presidente del tribunal

    Advanced modeling of nanoscale multigate transistors for circuit simulation 2012

    Universidad de Granada

    Balaguer Jiménez, María

  9. Presidente del tribunal

    Paralelización y optimización de un Simulador 2D Monte Carlo sobre arquitectura Grid y cluster: estudio de fluctuaciones en transistores MOSFET basados en SOI 2011

    Universidade de Santiago de Compostela

    Valín Ferreiro, Raúl

  10. Presidente del tribunal

    Desarrollo de herramientas para la simulación de transistores mosfet 2009

    Universidade de Santiago de Compostela

    Aldegunde Rodríguez, Manuel Antonio

  11. Secretario del tribunal

    Characterization, modelling and simulation of decananometer SOI MOSFETs 2008

    Universidad de Granada

    RODRIGUEZ SANTIAGO, NOEL

  12. Vocal del tribunal

    Compact modeling of multiple gate mos devices. 2007

    Universitat Rovira i Virgili

    Abd El Hamid, Hamdy Mohamed

  13. Secretario del tribunal

    Algoritmos adaptativos con estadística de alto orden. Identificación ciega de canales 2003

    Universidad de Granada

    Alameda Hernández, Enrique

  14. Vocal del tribunal

    Análisis de los fenómenos de transporte y rúido electrónico en transistores MOSFET y SOI submicrométricos 2003

    Universidad de Salamanca

    RENGEL ESTÉVEZ, RAÚL

  15. Secretario del tribunal

    Simulación y modelado de transistores MOS de doble puerta 2000

    Universidad de Granada

    CARTUJO CASSINELLO, PEDRO

  16. Vocal del tribunal

    Simulación Monte Carlo de transistores bipolares de heterounión abrupta (HBT) 1999

    Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)

    GARCIAS SALVA, PAU

  17. Secretario del tribunal

    Estudio del ruido de baja frecuencia en transistores de efecto campo 1998

    Universidad de Granada

    GODOY MEDINA, ANDRES