Jurys de thèses (17)

  1. Président du jury

    Nanoscale characterization and simulation of advanced CMOS and emerging devices variability 2022

    Universitat Autònoma de Barcelona

    RUIZ FLORES, ANA

  2. Président du jury

    High-frequency response and thermal effects in gan diodes and transistors: modeling and experimental characterization 2020

    Universidad de Salamanca

    Sánchez Martín, Héctor

  3. Président du jury

    A nanoscale study of MOSFETs reliability and Resistive Switching in RRAM devices 2017

    Universitat Autònoma de Barcelona

    Wu, Qian

  4. Président du jury

    Development of tools for the simulation of nanometric transistors using advanced computational architectures 2016

    Universidade de Santiago de Compostela

    Indalecio Fernández, Guillermo

  5. Président du jury

    Modeling and simulation of semiconductor nanowires for future technology nodes 2014

    Universidad de Granada

    González Marín, Enrique

  6. Rapporteur du jury

    ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS. 2014

    Universitat Rovira i Virgili

    Holtij, Thomas

  7. Président du jury

    Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures 2013

    Universitat Autònoma de Barcelona

    Bayerl, Albin

  8. Président du jury

    Advanced modeling of nanoscale multigate transistors for circuit simulation 2012

    Universidad de Granada

    Balaguer Jiménez, María

  9. Président du jury

    Paralelización y optimización de un Simulador 2D Monte Carlo sobre arquitectura Grid y cluster: estudio de fluctuaciones en transistores MOSFET basados en SOI 2011

    Universidade de Santiago de Compostela

    Valín Ferreiro, Raúl

  10. Président du jury

    Desarrollo de herramientas para la simulación de transistores mosfet 2009

    Universidade de Santiago de Compostela

    Aldegunde Rodríguez, Manuel Antonio

  11. Un secrétaire du jury

    Characterization, modelling and simulation of decananometer SOI MOSFETs 2008

    Universidad de Granada

    RODRIGUEZ SANTIAGO, NOEL

  12. Rapporteur du jury

    Compact modeling of multiple gate mos devices. 2007

    Universitat Rovira i Virgili

    Abd El Hamid, Hamdy Mohamed

  13. Un secrétaire du jury

    Algoritmos adaptativos con estadística de alto orden. Identificación ciega de canales 2003

    Universidad de Granada

    Alameda Hernández, Enrique

  14. Rapporteur du jury

    Análisis de los fenómenos de transporte y rúido electrónico en transistores MOSFET y SOI submicrométricos 2003

    Universidad de Salamanca

    RENGEL ESTÉVEZ, RAÚL

  15. Un secrétaire du jury

    Simulación y modelado de transistores MOS de doble puerta 2000

    Universidad de Granada

    CARTUJO CASSINELLO, PEDRO

  16. Rapporteur du jury

    Simulación Monte Carlo de transistores bipolares de heterounión abrupta (HBT) 1999

    Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)

    GARCIAS SALVA, PAU

  17. Un secrétaire du jury

    Estudio del ruido de baja frecuencia en transistores de efecto campo 1998

    Universidad de Granada

    GODOY MEDINA, ANDRES