Tribunais de teses (17)

  1. Presidente do tribunal

    Nanoscale characterization and simulation of advanced CMOS and emerging devices variability 2022

    Universitat Autònoma de Barcelona

    RUIZ FLORES, ANA

  2. Presidente do tribunal

    High-frequency response and thermal effects in gan diodes and transistors: modeling and experimental characterization 2020

    Universidad de Salamanca

    Sánchez Martín, Héctor

  3. Presidente do tribunal

    A nanoscale study of MOSFETs reliability and Resistive Switching in RRAM devices 2017

    Universitat Autònoma de Barcelona

    Wu, Qian

  4. Presidente do tribunal

    Development of tools for the simulation of nanometric transistors using advanced computational architectures 2016

    Universidade de Santiago de Compostela

    Indalecio Fernández, Guillermo

  5. Presidente do tribunal

    Modeling and simulation of semiconductor nanowires for future technology nodes 2014

    Universidad de Granada

    González Marín, Enrique

  6. Vogal do tribunal

    ANALYTICAL COMPACT MODELING OF NANOSCALE MULTIPLE-GATE MOSFETS. 2014

    Universitat Rovira i Virgili

    Holtij, Thomas

  7. Presidente do tribunal

    Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures 2013

    Universitat Autònoma de Barcelona

    Bayerl, Albin

  8. Presidente do tribunal

    Advanced modeling of nanoscale multigate transistors for circuit simulation 2012

    Universidad de Granada

    Balaguer Jiménez, María

  9. Presidente do tribunal

    Paralelización y optimización de un Simulador 2D Monte Carlo sobre arquitectura Grid y cluster: estudio de fluctuaciones en transistores MOSFET basados en SOI 2011

    Universidade de Santiago de Compostela

    Valín Ferreiro, Raúl

  10. Presidente do tribunal

    Desarrollo de herramientas para la simulación de transistores mosfet 2009

    Universidade de Santiago de Compostela

    Aldegunde Rodríguez, Manuel Antonio

  11. Secretario do tribunal

    Characterization, modelling and simulation of decananometer SOI MOSFETs 2008

    Universidad de Granada

    RODRIGUEZ SANTIAGO, NOEL

  12. Vogal do tribunal

    Compact modeling of multiple gate mos devices. 2007

    Universitat Rovira i Virgili

    Abd El Hamid, Hamdy Mohamed

  13. Secretario do tribunal

    Algoritmos adaptativos con estadística de alto orden. Identificación ciega de canales 2003

    Universidad de Granada

    Alameda Hernández, Enrique

  14. Vogal do tribunal

    Análisis de los fenómenos de transporte y rúido electrónico en transistores MOSFET y SOI submicrométricos 2003

    Universidad de Salamanca

    RENGEL ESTÉVEZ, RAÚL

  15. Secretario do tribunal

    Simulación y modelado de transistores MOS de doble puerta 2000

    Universidad de Granada

    CARTUJO CASSINELLO, PEDRO

  16. Vogal do tribunal

    Simulación Monte Carlo de transistores bipolares de heterounión abrupta (HBT) 1999

    Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)

    GARCIAS SALVA, PAU

  17. Secretario do tribunal

    Estudio del ruido de baja frecuencia en transistores de efecto campo 1998

    Universidad de Granada

    GODOY MEDINA, ANDRES