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JUAN ENRIQUE
CARCELLER BELTRÁN
Investigador en el periodo 1993-2023
Tesis dirigidas (4)
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Estudio de las propiedades eléctricas de un gas bidimensional de huecos en estructuras de SI y SIGE 2000
Universidad de Granada
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Estudio de sistemas electrónicos en potenciales unidimensionales. Aplicación a la estructura metal-aislante-semiconductor 1997
Universidad de Granada
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Influencia de la concentración de centros profundos en las propiedades electricas de uniones p-n no abruptas. Aplicacion al sistema si: pt 1992
Universidad de Granada
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Análisis de la degradación del sistema Si-SiO2 producida por inyección Fowler-Nordheim 1990
Universidad de Granada
Tribunales de tesis (28)
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Presidente del tribunal
Estudio del transporte y absorción de luz en redes periódicas de puntos cuánticos de semiconductor 2021Universidad de Granada
Skibinsky Gitlin, Erik Sebastian
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Presidente del tribunal
Compact modeling of memristors based on resistive switching devices 2020Universidad de Granada
González Cordero, Gerardo Manuel
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Presidente del tribunal
Printed sensor systems on flexible substrate 2018Universidad de Granada
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Presidente del tribunal
Estudio, modelado y simulación de memorias RRAM 2015Universidad de Granada
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Vocal del tribunal
Design, simulation and electrical characterization of a2ram memory cells 2014Universidad de Granada
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Presidente del tribunal
Modelado de fenómenos de histéresis y contactos en transistores orgánicos/poliméricos 2013Universidad de Granada
AWAWDEH, KARAM
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Presidente del tribunal
Simulación de circuitos basada en la implementación de modelos avanzados de dispositivos y sensores electrónicos en verilog-a 2012Universidad de Granada
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Presidente del tribunal
Nuevas estrategias y sistemas de medida para tomografía eléctrica de capacitancia 2009Universidad de Granada
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Presidente del tribunal
Estudio, caracterización y simulación de transistores con modulación de la velocidad en silicio 2006Universidad de Granada
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Vocal del tribunal
Caracterització a escala nanomètrica de la degradació I: ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant CAFM 2003Universitat Autònoma de Barcelona
Porti Pujal, Marc
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Secretario del tribunal
Simulación de transistores Mosfet: corriente túnel de puerta, dispersión culombiana y autocalentamiento 2002Universidad de Granada
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Presidente del tribunal
Simulación y modelado de transistores MOS de doble puerta 2000Universidad de Granada
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Vocal del tribunal
Caracterizacion del dañado electrico residual tras procesos de implantacion ionica y rta en silicio y fosfuro de indio 1998Universidad de Valladolid
PINACHO GOMEZ, RUTH
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Presidente del tribunal
Estudio del ruido de baja frecuencia en transistores de efecto campo 1997Universidad de Granada
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Presidente del tribunal
Análisis de heteroestructuras periódicas y cuasi periódicas con el método del determinante característico. Efectos del campo eléctrico 1997Universidad de Granada
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Vocal del tribunal
Estrategias y metodologia para el test parametrico de tecnologias microelectronicas 1996Universitat Autònoma de Barcelona
SANTANDER VALLEJO, JOAQUIN
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Secretario del tribunal
Análisis experimental y modelización por el método de Monte Carlo de la captura térmica de electrones por imperfecciones en semiconductores 1995Universidad de Granada
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Vocal del tribunal
Analisis y diseño de dispositivos semiconductores de potencia en sic 1995Universidad de Valladolid
PELAZ MONTES M. LOURDES
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Presidente del tribunal
Estudio de las propiedades de transporte de electrones en láminas de inversión semiconductoras por el método de Monte Carlo 1994Universidad de Granada
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Vocal del tribunal
Analisis del ruido electronico en materiales y dispositivos semiconductores unipolares mediante el metodo de monte carlo 1994Universidad de Salamanca
GONZÁLEZ SÁNCHEZ, TOMÁS
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Vocal del tribunal
Model de degradacio per a la ruptura dielectrica del sio2 1993Universitat Autònoma de Barcelona
FARRES BERENGUER, ESTEVE
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Vocal del tribunal
Analisis de la ruptura dielectrica del sio2 para la simulacion de fiabilidad 1993Universitat Autònoma de Barcelona
NAFRIA MAQUEDA, MONTSERRAT
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Vocal del tribunal
Automatizacion del test parametrico como herramienta de analisis y desarrollo de tecnologia microelectronica 1992Universitat Autònoma de Barcelona
PERELLO GARCIA, CARLES
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Vocal del tribunal
Caracterizacion del transporte electronico en sio2 por metodo de monte carlo 1991Universitat Autònoma de Barcelona
PLACENCIA MILLAN, YOLANDA
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Vocal del tribunal
Secciones eficaces de captura optica del paladio en el silicio 1990Universidad de Valladolid
RUBIO GARCIA JOSE EMILIANO
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Vocal del tribunal
Estudio de defectos intrinsecos asociados a donadores poco profundos en compuestos ternarios iii-v 1989Universitat de Barcelona
ALTELARREA SORIA, HERMENEGILDO
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Vocal del tribunal
Contribucio a l'estudi dels efectes de superficie en estructures fotovoltaiquesde silici passivades 1988Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
CORREIG BLANCHAR, XAVIER
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Vocal del tribunal
Interferencias y ruidos producidos por conmutación de los convertidores estáticos de energía y su influencia sobre los circuitos lógicos y analógicos de control industrial 1983Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
BALCELLS SENDRA, JOSEP