Random telegraph signal amplitude in submicron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors

  1. Godoy, A.
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  5. Carceller, J.E.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 1997

Volumen: 70

Número: 16

Páginas: 2153-2155

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.118943 GOOGLE SCHOLAR
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