Two-dimensional drift-diffusion simulation of superficial strained-Si/Si1-xGex channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Cartujo, P.
Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

ISSN: 1071-1023

Año de publicación: 1998

Volumen: 16

Número: 3

Páginas: 1538-1540

Tipo: Artículo

DOI: 10.1116/1.589935 GOOGLE SCHOLAR
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