Coulomb scattering in strained-silicon inversion layers on Si1-xGex substrates
ISSN: 0003-6951
Año de publicación: 1996
Volumen: 69
Número: 6
Páginas: 797-799
Tipo: Artículo
ISSN: 0003-6951
Año de publicación: 1996
Volumen: 69
Número: 6
Páginas: 797-799
Tipo: Artículo